齊納擊穿的物理過程與雪崩擊穿不同。

當反向電壓增加到一定值時，可以在勢壘區域中建立強電場，其可以直接拉出在共價鍵中結合的價電子，并在勢壘區域中產生大量的電子空。

這對孔形成大的反向電流并產生擊穿。

在強電場的作用下，阻擋區域中原子直接激發的擊穿現象稱為齊納擊穿。

齊納擊穿通常發生在具有較高摻雜濃度的PN結中。

這是因為具有較高摻雜濃度的PN結在空間電荷區域中具有較大的電荷密度和較窄的寬度。

只要施加小的反向電壓，就可以建立強電場并且發生齊納擊穿。

通常，擊穿電壓小于6V時發生的擊穿是齊納擊穿，6V以上發生的擊穿是雪崩擊穿。

齊納擊穿可以制成齊納二極管，也稱為齊納二極管。

該二極管是一種半導體器件，在臨界反向擊穿電壓之前具有非常高的電阻。

在該臨界擊穿點，反向電阻減小到一個小值。

在該低電阻區域中，電流增加并且電壓保持恒定。

齊納二極管根據擊穿電壓進行分檔。

由于這種特性，齊納二極管主要用作電壓調節器。

或者使用電壓參考組件。

齊納二極管可以串聯連接以在更高的電壓下使用，并且通過串聯連接可以獲得更穩定的電壓。