根據(jù)媒體收到的邀請函，聯(lián)發(fā)科將在幾天內發(fā)布新的高端芯片Dimensity 1200。

遺憾的是，該芯片目前未使用最先進的5nm工藝，但使用了后代6nm工藝。

從888芯片采用5nm工藝并且已經(jīng)“翻轉”的事實判斷，Dimensity 1200也可能重復相同的錯誤。

高通公司的Snapdragon 888芯片使用X1內核+三個A78內核+四個A55內核。

它使用三星的5nm工藝。

三星的5nm工藝可能無法有效控制X1內核的功耗。

Snapdragon 888芯片具有功耗高的缺點。

與Snapdragon 865相比，其性能僅比Snapdragon 865高出約19％，Snapdragon 865比上一代Snapdragon 855高出30％。

三星還發(fā)布了自己的芯片Exynos1080芯片。

該芯片采用四個A78 +四個A55內核的架構。

它也是采用三星的5nm工藝生產(chǎn)的，但該芯片的性能可與華為的麒麟9000媲美。

其原因可能是因為5nm工藝無法有效控制A78的功耗，性能必須降低。

根據(jù)ARM的消息，與四核A77相比，四核A78的性能應提高20％，而X1核可提高30％。

這表明5nm工藝非常不愿意控制ARM的新內核A78和X1。

為了控制功耗必須降低性能。

聯(lián)發(fā)科技目前的高端芯片Dimensity 1000使用四核A77 +四核A55架構，由臺積電（TSMC）以7納米工藝生產(chǎn)。

這樣，聯(lián)發(fā)科的Dimensity 1200應該使用四核A78 +四核A55架構，但是它使用了更落后的6nm工藝。

根據(jù)臺積電的消息，指出6nm工藝是在7nm EUV工藝的基礎上改進的，并不是一個新工藝。

自然，其性能參數(shù)不應與三星的5nm工藝相提并論。

雖然三星的5nm工藝幾乎無法控制A78內核的功耗，但臺積電的6nm工藝可能更難控制Dimensity 1200芯片的A78內核的功耗，因此Dimensity 1200可能還會出現(xiàn)Snapdragon 888。

“翻轉”是指情況。

聯(lián)發(fā)科的Dimensity 1200沒有使用最新的5nm工藝可能與其控制成本有關，以前的Dimensity 1000當時沒有使用最新的7nm EUV工藝，但落后于7nm工藝一代，似乎表明每一代聯(lián)發(fā)科的芯片不愿采用最新技術，因此，難怪Android手機公司不愿在旗艦手機中使用聯(lián)發(fā)科的高端芯片。

然而，盡管聯(lián)發(fā)科在高端芯片市場上的競爭力不及高通，但由于華為的經(jīng)驗，中國手機公司已與聯(lián)發(fā)科加強了合作，并降低了高通芯片的采用率。

聯(lián)發(fā)科出乎意料地超越了高通，成為2020年全球最大的手機。

芯片公司。

最初，聯(lián)發(fā)科應該順應這一趨勢，并在其芯片制造過程中更加進取。

不幸的是，它似乎并不愿意太激進。

它仍然使用落后的芯片制造工藝來控制成本。

這對于進入高端手機芯片市場非常有用。

缺點，將給高通呼吸的空間。