隨著全球多元化的發(fā)展，我們的生活也在不斷變化，包括我們接觸到的各種電子產(chǎn)品。

然后，您一定不知道這些產(chǎn)品的某些組件，例如p溝道功率MOSFET。

幾天前，Vishay Intertechnology，Inc.（紐約證券交易所股票代碼：VSH）宣布首次推出-30 V p溝道功率MOSFET-SiRA99DP，在10 V時導(dǎo)通電阻降至1.7 mW。

Vishay Siliconix TrenchFET＆amp ; reg;使用耐熱增強型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK＆reg;的第四代SiRA99DP導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)界最低水平。

SO-8單片封裝，專門用于提高功率密度。

當(dāng)用作柵極整流器時，MOSFET是主要的開關(guān)晶體管，具有提高效率的作用。

為了選擇最適合電源應(yīng)用的開關(guān)，本設(shè)計示例比較了P通道和N通道增強模式MOSFET。

幾天前發(fā)布的MOSFET的導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43％，從而降低了電壓降并降低了傳導(dǎo)損耗，從而實現(xiàn)了更高的功率密度。

SiRA99DP超低柵極電荷僅為84 nC，這是柵極電荷與導(dǎo)通電阻的乘積，也就是說，MOSFET在開關(guān)應(yīng)用中的重要品質(zhì)因數(shù)（FOM）為185 mW * nC，達(dá)到同類產(chǎn)品的最佳水平產(chǎn)品。

由于其較低的導(dǎo)通電阻（RDS（on））和較小的尺寸，在產(chǎn)品選擇中，N溝道MOSFET優(yōu)于P溝道。

在降壓穩(wěn)壓器的應(yīng)用中，基于各種因素（例如柵極電壓極性，器件尺寸和串聯(lián)電阻），P溝道MOSFET或N溝道MOSFET用作主開關(guān)。

同步整流器應(yīng)用幾乎總是使用N溝道技術(shù)，主要是因為N溝道的RDS（on）小于P溝道的RDS（on），并且通過在柵極上施加正電壓來使其導(dǎo)通。

該器件是輸入電壓為12 V的電路的理想選擇，適用于適配器，電池和通用電源開關(guān)，反極性電池保護，OR-ing功能以及電信設(shè)備，服務(wù)器，工業(yè)PC和計算機的電機驅(qū)動控制。

機器人。

SiRA99DP減少了并行設(shè)備的數(shù)量，換句話說，增加了單個設(shè)備的電流，從而提高了功率密度并節(jié)省了這些應(yīng)用的主板空間。

另外，作為p溝道MOSFET，該器件不需要電荷泵來提供n溝道器件所需的正向柵極電壓。

在研究和設(shè)計過程中，必須存在此類問題，這要求我們的科研工作者不斷總結(jié)設(shè)計過程中的經(jīng)驗，以促進產(chǎn)品的不斷創(chuàng)新。