太陽能電池已經開發了很多年。

在生活的許多方面，太陽能電池為我們帶來了很多便利。

眾所周知，太陽能電池的好處之一就是環境保護。

為了增進大家對太陽能電池的理解，本文將介紹太陽能電池的制造工藝。

如果您對太陽能電池感興趣，則不妨繼續閱讀。

1.太陽能電池太陽能電池，也稱為“太陽能芯片”。

術語“光電池”或“光電池”是使用陽光直接發電的光電半導體片。

只要將其暴露在滿足某些照度條件的光線下，當存在環路時，它就可以立即輸出電壓并產生電流。

在物理學上，它稱為光伏（Photovoltaic，縮寫為PV），或簡稱為PV。

太陽能電池是通過光電效應或光化學效應將光能直接轉換成電能的裝置。

具有光伏效應的晶體硅太陽能電池是主流，而具有具有光化學效應的薄膜電池的太陽能電池仍處于起步階段。

2.如何制造太陽能電池1.切割硅片和準備材料。

在硅電池的工業生產中使用的單晶硅材料通常是通過坩堝直拉法制造的太陽能級單晶硅棒。

原始形狀為圓柱形，然后切成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的邊長通常為10?15cm，厚度約為200?350um，電阻率約為1Ωcm。

2.去除損壞的硅晶片層將在切割過程中產生大量的表面缺陷，這將引起兩個問題。

首先，表面質量差，并且這些表面缺陷將在電池制造過程中引起更多碎屑。

因此，為了去除切削損傷層，通常使用堿或酸腐蝕，并且腐蝕的厚度為約10μm。

3.紋理化和紋理化是通過酸或堿蝕刻相對光滑的原料硅晶片的表面，使其不平坦和粗糙以形成漫反射，并減少直接在硅晶片表面上的太陽能的損失。

對于單晶硅，通常使用NaOH和酒精進行腐蝕。

單晶硅的各向異性腐蝕在表面上形成無數的金字塔結構。

堿液的溫度為約80度，濃度為約1至2％，并且蝕刻時間為約80度。

大約15分鐘。

對于多晶，通常使用酸蝕刻。

4.擴散擴散的目的是形成一個PN結。

磷通常用于n型摻雜。

由于固態擴散需要高溫，因此在擴散之前清潔硅晶片的表面非常重要。

織構后必須清洗硅晶片，即使用酸中和硅晶片表面上的堿殘留物和金屬雜質。

5.在邊緣蝕刻，清潔和擴散過程中，在硅晶片的外圍表面上還形成有擴散層。

外圍擴散層使電池的上下電極形成短路環，必須將其除去。

外圍的任何局部短路都會降低電池的并聯電阻，甚至成為廢品。

目前，等離子干蝕刻用于工業生產中。

在輝光放電的條件下，氟和氧交替地作用在硅上以去除包含擴散層的外圍。

擴散后進行清潔的目的是去除在擴散過程中形成的磷硅酸鹽玻璃。

6.沉積抗反射層沉積抗反射層的目的是減少表面反射并增加折射率。

PECVD被廣泛用于沉積SiN，因為PECVD不僅會生長SiN作為抗反射膜，而且還會產生大量的原子氫。

這些氫原子在多晶硅晶片上具有表面鈍化和整體鈍化的雙重作用。

用于批量生產。

7.通過絲網印刷制備上電極和下電極是制備太陽能電池中的關鍵步驟。

它不僅確定發射極的結構，而且還確定電池的串聯電阻以及電池表面上的金屬所覆蓋的面積。

最初使用真空蒸發或化學電鍍技術，但現在通常使用絲網印刷方法，即通過特殊的打印機和模板將銀漿鋁漿（銀鋁漿）印刷在太陽能電池的正面和背面，形成正負極引線。

8.共燒形成