人類社會的進步離不開社會各界的努力，而各種電子產品的升級離不開設計師的努力。

實際上，許多人不了解電子產品的組成，例如碳化。

硅肖特基二極管。

Microchip的新器件已通過AEC-Q101認證。

對于需要在保持高質量的同時提高系統效率的電動汽車電源設計人員來說，它可以最大限度地提高系統的可靠性和耐用性，并獲得穩定而持久的應用壽命。

新器件出色的雪崩整流性能使設計人員能夠減少對外部保護電路的需求，從而降低系統成本和復雜性。

碳化硅是最早發現的半導體材料之一。

但是，由于難以生長高質量的碳化硅晶體，因此碳化硅器件的開發落后于同一家族的其他材料。

近年來，碳化硅器件的開發取得了長足的進步，并且已經證實，碳化硅由于其優越的物理和電性能而比硅材料和器件更適合用于大功率電路。

Microchip離散產品業務部門副總裁Leon Gross表示：“作為汽車行業的長期供應商，Microchip不斷擴展汽車電源解決方案，并引領汽車領域的電源系統轉型電氣化。

我們一直專注于提供汽車解決方案，以幫助客戶輕松過渡。

對于碳化硅（SiC），同時將質量，供應和支持挑戰的風險降至最低”。

碳化硅具有比硅更寬的帶隙（3C-SIC：2.3eV，6H-SIC：2.9eV，4H-SIC：3.2eV），臨界擊穿電場是硅的8-10倍。

因此，可以通過高摻雜的薄漂移層來實現碳化硅高壓器件，從而將器件的導通電阻減小幾個數量級。

Microchip一直是汽車行業的供應商，已有25年以上的歷史了。

該公司擁有碳化硅（SiC）技術和多個獲得IATF16949：2016認證的制造工廠，可以通過靈活的制造解決方案提供高質量的設備，以最大程度地減少供應鏈風險。

SIC材料具有卓越的電氣性能，因此在高功率和高溫應用中具有獨特的優勢。

對于式（1），與硅材料相比，4H-SIC的臨界擊穿電場大約是硅的10倍。

對于給定的擊穿電壓，通過公式（1）獲得的比導通電阻將降低約3個數量級。

經過Microchip的內部和第三方測試后，關鍵的可靠性指標已證明，與其他制造商生產的SiC器件相比，Microchip的器件性能優越。

與其他在極端條件下會出現性能下降的碳化硅（SiC）器件不同，Microchip器件的性能保持穩定，有助于延長應用壽命。

Microchip的碳化硅（SiC）解決方案的可靠性和耐用性處于業界領先水平。

耐久性測試表明，Microchip的碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）在未鉗位的電感式開關（UIS）中的能量容限提高了20％，并且在高溫下的漏電流最低，這可以延長系統的壽命并達到操作更可靠。

碳化硅肖特基二極管不僅用于電源電路，而且還用于其他領域，例如氣體傳感器，微波和紫外線探測器。

Microchip的SiC汽車功率器件進一步擴展了其豐富的控制器，模擬和連接解決方??案組合，為設計人員提供了電動汽車和充電站的整體系統解決方案。

Microchip還利用最新一代的碳化硅（SiC）芯片，提供了700、1200和1700V碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）和金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）電源模塊的廣泛產品組合。

此外，Microchip的dsPIC＆reg; reg;數字信號控制器可以提供高性能，低功耗和靈活的外設。

Microchip的AgileSwitch＆reg;系列數字可編程門驅動器進一步加快了從設計階段到生產的過程。

這些解決方案還可應用于可再生能源，電網，工業，運輸，醫療，數據中心，航空航天和國防系統。

本文只能使您對碳化硅肖特基二極管有一個初步的了解。

這對您入門很有幫助。

同時，您需要繼續進行總結，以便提高您的專業技能。

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